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2008-05-16 IITC上将报告芯片互连技术的最新进展
在今年夏天举行的IITC上，研究人员将会报告互连技术的最新研究进展。最吸引人的两个发展方向是3DIC和纳米管互连。国际互连技术会议（加州Berlingame，6月2-4日）将成为从系统级开始，全力解决互连难题的论坛。
“互连”是集成电路中连接晶体管和其他元件的连线系统。互连问题可能导致芯片技术开发的延迟。在IITC上发表的论文将致力于解决这些问题。
今年佐治亚理工学院、IBM和Nananexus的研究人员将会介绍如何在3DIC中集成微流体热沉技术。芯片叠层的最要挑战是如何带走运转过程中产生的热。例如，将两颗高性能微处理器芯片叠在一起，其功率密度可能高达200W/cm2，这已经超出了目前风扇式制冷技术的处理能力。
他们的方案中每个芯片背面都制作了热沉。通过流体穿透硅通孔（TSV）和导管来输运制冷剂。在微通道中去离子水的流速为65ml/min。可以通过一步刻蚀工艺完成微通道和TSV的制作，相对于之前的工作来说这是一个关键的改进。之后，在制作其他结构时，采用牺牲高分子层填充和保护这些沟道。高温下高分子会分解，得到TSV/通道结构。占用的芯片面积也最小。
另一篇文章报告了在电路上采用碳纳米管做互连线的初步测试结果。
随着铜连线缩减到更窄的尺寸，其电阻率会升高，将影响整个芯片的性能。碳纳米管的理论电阻率比铜低，但直到现在，还不能用在真正的CMOS集成电路中采用纳米管作互连。
在IITC上，来自斯坦福大学和东芝的团队将介绍如何制作带有环振阵列的0.24-mCMOS测试芯片。每个环振都有意缺少一根互连线，这一缺失采用一根多壁碳纳米管（MWCNT）来弥补。MWCNT的直径为30-nm，长达14微米。
由于纳米管（品质因数较高）的存在，该小组测得的延迟是亚nm级的，但MWCNT的实际电阻是理论预测值的150倍，这显示MWCNT的统计电阻值与动态行为之间存在着巨大差异。该小组表示其集成策略不仅限于多壁纳米管，其他的单壁纳米管、集束MWCNT，甚至纳米线都可以采用类似的方法集成。
斯坦福大学将在晚些时候举行自己的互连会议。
本届IITC将汇聚超过700名专业人士来共同讨论先进互连技术领域的科学和技术难题。
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